Wechselfelder induzieren aber einen Strom, der zu kurzschlüssen führen kann. Dadurch geht der Flashspeicher auch kaputt.
Nachtrag: Es dürfte auch schon reichen, den Speicher durch ein starkes statisches Magnetfeld (z.B. halt MRTs) zu bewegen. Hab mal nen Video gesehen, da hat jemand ein Handy durch einen MRT bewegt und danach war es Schrott.
Wie schon gesagt: Nein!
Egal, was Du gesehen hast, ich habe meinen USB-Stick immer in der Tasche und stehe öfter damit direkt an einem 3T MRT Gerät und der kann das gut ab. Weder dass er kaputt ginge, noch dass die Daten darauf nicht mehr lesbar wären. Das gilt mittlerweile für 3 unterschiedliche USB-Sticks und eben, wie oben erwähnt, auch für eine Geldkarte (die EC-Kartenfunktion über den Magnetstreifen ist natürlich im Eimer, da reicht manchmal schon am Eingang des Raumes stehen aus; die über den Chip auf der Karte bereitgestellte Geldkartenfunktion ging aber noch).
Wie das mit einer Langzeitexposition aussieht, weiß ich nicht, ein paar Minuten sind aber für Flash-Speicher kein Problem.
Dass das Handy Schrott war, wird eher an einer tatsächlichen mechanisch-physikalischen Beschädigung liegen, im Handy sind ja auch bewegliche Teile (v.a. Mikrofon/Lautsprecher), die magnetisch sind und die Zugkräfte auf diese durch den Magneten sind wirklich erheblich.
Von daher auch nochmals: Nein, die Wärmeentwicklung / Energieeinwirkung durch das Magnetfeld ist absolut zu vernachlässigen, die mechanische Krafteinwirkung auf ferromagnetische Stoffe dagegen kann
ganz erheblich sein (und das auch schon bei 1T).
Nur ist Silizium oder auch das Platinenmaterial / Lötzinn halt nicht (zumindest praktisch nicht? das müsste ein Physiker erklären) wirklich anfällig gegenüber äußeren magnetischen Ablenkungen, so dass auch keine Schädigung der Leiterbahnen auftritt.
