Was ist CAS
CAS steht beim Speicher für Column Address Strobe. Das ist die Signalleitung für die Spaltenadressen - DRAM's arbeiten nämlich mit einer Marix-Addressierung über Spalten (Columns) und Zeilen (Rows). Die zugehörige Latenz beschreibt also die Anzahl von Speichertaktzyklen, die bis zu einer validen Spaltenadressierung vergehen. Bei den Latenzen existieren mehrere, die CAS (Column Address Strobe) Latenz, die RAS zu CAS Latenz und die RAS (Row Address Strobe) Latenz, weiters existiert auch noch das RAS Precharge Timing. Column und Row Address bedeuten die Addressierung von Zeile und Spalte innerhalb des Speichers.*
Für diese Adressierungen sind Pausenzyklen nötig, hierbei gibt es 2 verschiedene in jedem besseren System-BIOS zur Auswahl: 2 und 3 Pausenzyklen. 2 Zyklen sind schneller als 3, und je nach höherer Taktfrequenz des Speichers haben die Latenzen größere Auswirkung.
Ein weiteres Kriterium ist die Taktperiode, welche in Nanosekunden (ns) angegeben wird. Taktperiode und Taktfrequenz sind eng miteinander verknüpfte Größen und stellen im Prinzip sogar dasselbe dar. Ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 8ns ist "offiziell" für 100MHz geeignet. Ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 7.5ns ist für 133MHz geeignet, Ein 7.0ns Speicher für 143MHz, ein 6.0ns Speicher wäre bereits für 166MHz geeignet und so weiter. Die dazu benutze einfache Formel lautet "1 / Takt * 1000 = Zugriffszeit", oder "1 / Zugriffszeit * 1000 = Takt". In der Praxis kann ein SDRAM jedoch auch auf tieferen Zugriffszeiten (d.h. mit mehr Takt) betrieben werden als auf dem Chip aufgedruckt ist.**
